随着数据中心适应现代数字工作负载日益增长的需求，对更快、更高容量的内存解决方案的需求变得至关重要。在当今以数据为驱动的格局中，挑战层出不穷，这些挑战是由云计算、人工智能、大数据分析和实时处理的需求不断增加所驱动的。研华科技的SQR-RD5N DDR5 5600MT/s 128GB ECC RDIMM正在引领这一变革，提供了先进技术，使数据中心能够以出色性能运行。
SQRAM为数据中心带来哪些好处？
SQR-RD5N的数据传输速率高达5600MT/s，明显快于早期的DDR4模块。这种高速度对于运行复杂应用的数据中心至关重要，如人工智能和机器学习，这些应用需要快速访问大型数据集。增加的带宽降低了延迟，使关键应用的处理速度更快，运行更加高效。
SQR-RD5N拥有128GB的超大容量，可满足现代数据中心的大规模内存需求。这种高容量对于涉及大数据、虚拟化和高性能计算的任务特别有益，其中大内存容量对于保持顺畅和高效的操作至关重要。
ECC纠错技术对于数据中心至关重要，因为它能够检测并纠正可能导致数据损坏的单bit内存错误。通过预防这些错误，ECC技术确保了数据的完整性、系统的稳定性和连续运行。
Sidefill侧填充技术用于加固焊点，提高对机械冲击的抵抗力，减少组件故障和系统停机的风险。此外，共形涂层保护内存模块免受湿气、灰尘和污染物的侵害，防止腐蚀和电气干扰，从而提高整个系统的耐用性。
此外，研华科技提供全球现场应用工程师（FAE）的支持和专业知识，确保数据中心无论在何处都能信赖他们提供的内存解决方案。这种支持对于维持全球数据中心的顺畅运作至关重要。
研华 SQR-RD5N 是新一代数据中心内存解决方案的代表。它凭借高速、大容量、可靠的ECC和RDIMM技术，旨在满足现代数据中心的严格要求。出色的性能、强可靠性和可扩展性等优势，使SQRAM成为数据中心优化运营和为未来增长做准备的理想选择。
- SQRAM RDIMM DDR5 5600 MT/s 128GB（0 ~ 95°C）
- 采用工业级高品质海力士/三星DRAM IC
- 抗硫化保护，适用于恶劣环境
- 30µ” PCB金手指，确保产品耐用性
- 提供附加服务：Sidefill涂层，抗震、抗潮
- 全球FAE支持和专业知识服务
- 终身保固支持
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